摘要:文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对Dual Gate产品栅极制程的断路影响,通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件,使55寸Dual Gate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%,为公司带来80.2万元(试读)...